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	Fabrication of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/NiCl2 films deposited on Si substrates
	Xue, Chengshan[1]; Wang, Ying[1]; Zhuang, Huizhao[1]; Wang, Zouping[1]; Huang, Yinglong[1]; Zhang, Dongdong[1]; Cao, Yuping[1]
	2009
卷号	484期号:1-2页码:33-35
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000271334900009
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5789289
专题	山东师范大学
作者单位	[1]Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Inst Semicond, Jinan 250014, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Xue, Chengshan[1],Wang, Ying[1],Zhuang, Huizhao[1],et al. Fabrication of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/NiCl2 films deposited on Si substrates[J],2009,484(1-2):33-35.
APA	Xue, Chengshan[1].,Wang, Ying[1].,Zhuang, Huizhao[1].,Wang, Zouping[1].,Huang, Yinglong[1].,...&Cao, Yuping[1].(2009).Fabrication of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/NiCl2 films deposited on Si substrates.,484(1-2),33-35.
MLA	Xue, Chengshan[1],et al."Fabrication of GaN nanowires by ammoniating Ga2O3/NiCl2 films deposited on Si substrates".484.1-2(2009):33-35.

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