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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氨化温度对氨化Si基Ga2O3／Cr膜制备GaN纳米结构的影响 期刊论文 2009, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 595-597 作者:  王邹平[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  王英[1];  张冬冬[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 Ga2O3/Cr膜  GaN纳米线  氨化温度  磁控溅射   GaN基器件衬底材料β-Ga2O3单晶生长及性质研究 学位论文 博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007 作者:  张俊刚 收藏  |  浏览/下载：271/0  |  提交时间：2016/11/28 GaN 衬底  β-Ga2O3  浮区法  LiGaO2/β-Ga2O3 复合衬底