QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of patterned substrate on quality of high indium content InGaN grown by molecular beam epitaxy (MBE) 期刊论文 Cailiao Daobao/Materials Review, 2016 作者:  Li, Baoji;  Wu, Yuanyuan;  Lu, Shulong(陆书龙);  Zhang, Jijun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389 作者:  Yang, WX(杨文献);  Dai, P(代盼);  Ji, L(季莲);  Tan, M;  Wu, YY(吴渊渊) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/03/11 Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2 作者:  Wu, YY;  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/11 Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  He, W;  Lu, SL(陆书龙);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2015, 卷号: 137, 页码: 5 作者:  Ji, L(季莲);  Tan, M(谭明);  Honda, K;  Harasawa, R;  Yasue, Y 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Quantum efficiency  Carrier recombination dynamics   Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7 作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  molecular beam epitaxy  photoluminescence  carrier luminescence relaxation time   Solid-state tellurium doping of AllnP and its application to photovoltaic devices grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 413, 页码: 5 作者:  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源);  Ji, L(季莲);  Bian, LF(边历峰) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/31 Doping  Molecular beam epitaxy  Solar cell   GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7 作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 Te doping  Mg doping  GaAs tunnel junction  GaInP/GaAs tandem solar cell  molecular beam epitaxy   Effect of oxygen partial pressure and temperature on NTC characteristics of Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 thin films grown on SrTiO3 (100) by laser MBE 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2014, 卷号: 611, 期号: 1, 页码: 100-103 作者:  Jiang CP(蒋春萍) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/27 NTC film  Laser MBE  Epitaxial growth  Electrical properties   Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2014, 卷号: 127, 期号: 0, 页码: 1-5 作者:  Bian LF(边历峰);  Yang H(杨辉);  Lu SL(陆书龙);  Ji L(季莲) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/12/02 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Carrier recombination dynamics