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基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进
会议论文
作者:
陈晓娟
;
王鑫华
;
魏珂
;
郑英奎
;
樊捷
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/20
1.8MeV电子辐照AlGaN基p-i-n日盲型光探测器的辐射效应研究
会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:
李豫东
;
郭旗
;
罗木昌
;
张孝富
;
文林
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/06/04
Algan日盲型光探测器
电子辐照
I-v特性
C-v特性
面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
会议论文
中国珠海 海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会
罗毅
;
胡卉
;
韩彦军
;
郭文平
;
邵嘉平
;
薛松
;
孙长征
;
郝智彪
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/06/15
氮化镓(GaN)
发光二极管(LED)
材料外延
干法刻蚀
栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 河南开封, 2012-11-7
作者:
张宝顺
;
蔡勇
;
曾春红
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2013/01/22
提高AlGaN/GaN HEMT 关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 河南开封, 2012-11-7
作者:
张宝顺
;
曾春红
;
蔡勇
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/01/22
纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN
会议论文
第十二届全国MOCVD学术会议, 中国福建厦门, 2012-04-11
作者:
董鹏
;
闫建昌
;
吴奎
;
曾建平
;
丛培沛
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2014/04/02
MOCVD
蓝宝石衬底
AlN
纳米图形
外延生长
侧向外延
外延层
AIN
纳米级
发光的
微米级
摇摆曲线
形貌
深紫外
原子的
迁移率
位错密度
自组装
紫外固化
反应室
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/07/26
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广州, 2008-11-30
闫鹏飞
;
隋曼龄
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/08/21
氮化镓异质结
化学气相沉积法
蓝宝石衬底
紫外光发光二极管
位错滑移
带状缺陷
发光性能
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
DIODES
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
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