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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [3]
发表日期
2017 [1]
2016 [3]
2014 [1]
2011 [2]
2005 [1]
学科主题
微电子学 [8]
半导体材料 [3]
半导体器件 [2]
半导体物理 [2]
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学科主题:微电子学
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高Al组分AlGaN材料及紫外LED研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
张硕
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2017/06/05
AlGaN
紫外LED
晶体质量
溅射AlN
侧向外延
金属气相化合物沉积
常关型GaN HEMT器件制备研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2016/06/06
AlGaN/GaN
高电子迁移率晶体管
常关型
选区二次外延
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/06/01
AlGaN/GaN HFET
特征导通电阻
击穿电压
增强型器件
阈值电压
The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination
期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103
Yanan Liang
;
Lifang Jia
;
Zhi He
;
Zhongchao Fan
;
Yun Zhang
;
Fuhua Yang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/16
Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 048501
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Yang, FH
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/02
增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 771-777
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
熊莹
;
张仁平
;
杨富华
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/07/17
T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation
期刊论文
applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5
Du, Y.D.
;
Cao, H.Z.
;
Yan, W.
;
Han, W.H.
;
Liu, Y.
;
Dong, X.Z.
;
Zhang, Y.B.
;
Jin, F.
;
Zhao, Z.S.
;
Yang, F.H.
;
Duan, X.M.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/06/14
Ablation
Drain current
Fabrication
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Photoresists
Ultrashort pulses
X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870
作者:
Wang Cuimei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
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