增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

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	增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
	杜彦东 ; 韩伟华 ; 颜伟 ; 张严波 ; 熊莹 ; 张仁平 ; 杨富华
刊名	半导体技术
	2011
卷号	36 期号:10 页码:771-777
中文摘要	随着高压开关和高速射频电路的发展，增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流，可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来，国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面，通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层，来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面，采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理，来控制表面电势，影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发，探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目
语种	中文
公开日期	2012-07-17
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23256]
专题	半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式 GB/T 7714	杜彦东,韩伟华,颜伟,等. 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展[J]. 半导体技术,2011,36(10):771-777.
APA	杜彦东.,韩伟华.,颜伟.,张严波.,熊莹.,...&杨富华.(2011).增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展.半导体技术,36(10),771-777.
MLA	杜彦东,et al."增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展".半导体技术 36.10(2011):771-777.