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The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:  Ye XL;  Xu B
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:  Yin ZG
收藏  |  浏览/下载：304/5  |  提交时间：2010/04/11
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P
收藏  |  浏览/下载：92/22  |  提交时间：2010/03/29
DOTS  
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/10/29
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：206/2  |  提交时间：2010/08/12
Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12
The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63
作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12
(Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12

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