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Wavelength-tunable InAsP quantum dots in InP nanowires
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 5, 页码: -
作者:
Zhong, ZQ
;
Li, XL
;
Wu, J
;
Li, C
;
Xie, RB
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/10/16
SINGLE NANOWIRE
GROWTH
PHOTODETECTORS
ENHANCEMENT
MORPHOLOGY
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
Photoconductivity of InN grown by MOVPE: Low temperature and weak light illumination
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 4
作者:
Kang TT
;
Zhang YH
;
Chen PP
;
Wang ZH
;
Yamamoto A
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2018/11/20
NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY
INDIUM NITRIDE
Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Ikeda, M
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, ZC(李增成)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/02/03
Growth models
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/12/31
high electron mobility transistor
two-dimensional electron gas
GaN
High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388
S. Luo
;
H.M. Ji
;
F. Gao
;
F. Xu
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/22
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM(张书明)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/12/01
GAN/SAPPHIRE INTERFACE
ELECTRON-TRANSPORT
CARBON
LAYER
FE
The inn epitaxy via controlling in bilayer
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-5, 2014
Zhou, Jin
;
Huang, Qiangcan
;
Li, Jinchai
;
Cai, Duanjun
;
Kang, Junyong
;
李金钗
;
蔡端俊
;
康俊勇
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Epitaxial growth
Metallorganic vapor phase epitaxy
Nitridation
Defect suppression in AlN epilayer using hierarchical growth units
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1021/jp401745v, 2013
Zhuang, Qi
;
Lin, Wei
;
Yang, Weihuang
;
Yang, Wencao
;
Huang, Chengcheng
;
Li, Jinchai
;
Chen, Hangyang
;
Li, Shuping
;
Kang, Junyong
;
陈航洋
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
Atomic force microscopy
Defects
Grain boundaries
Luminescence
Vapors
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