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科研机构
半导体研究所 [32]
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期刊论文 [30]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [4]
2009 [2]
2008 [3]
2007 [1]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [32]
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共32条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
UV ELECTROLUMINESCENCE
THIN-FILMS
ZNO
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Surface Emitting Distributed Feedback Quantum Cascade Laser around 8.3 mu m
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114214
Guo WH (Guo Wan-Hong)
;
Liu JQ (Liu Jun-Qi)
;
Lu QY (Lu Quan-Yong)
;
Zhang W (Zhang Wei)
;
Jiang YC (Jiang Yu-Chao)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang LJ (Wang Li-Jun)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/12/05
PHOTONIC-CRYSTAL
EMISSION
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Magnetic Properties of FePt Nanoparticles Prepared by a Micellar Method
期刊论文
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 1-6
作者:
You JB
;
Zhang XW
;
Yin ZG
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浏览/下载:203/39
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提交时间:2010/04/04
FePt nanoparticles
Reverse micelles
Self-assembly
Interparticle exchange coupling
Magnetic recording
FILMS
ANISOTROPY
FUTURE
LIMITS
MEDIA
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
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浏览/下载:216/66
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提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang T
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浏览/下载:252/54
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提交时间:2010/03/08
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
InAs
GaAs
Laser diodes
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