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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [17]
会议论文 [1]
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2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2003 [3]
2002 [3]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:52/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
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浏览/下载:65/25
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提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
interdiffusion
post-annealing
quantum wells
GaInNAs/GaAs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LOCALIZATION
GAINNAS
LUMINESCENCE
ORIGIN
GAASN
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:351/16
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提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Li CM
;
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
PHOTOLUMINESCENCE
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:
Xu B
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
INTERDIFFUSION
TRANSITIONS
SPECTRA
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
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