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科研机构
半导体研究所 [18]
内容类型
期刊论文 [15]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2006 [2]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [4]
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学科主题
半导体材料 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:292/52
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提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
会议论文
21st international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors, lisbon, portugal, sep 04-09, 2005
Liao, XB (Liao, Xianbo)
;
Du, WH (Du, Wenhui)
;
Yang, XS (Yang, Xiesen)
;
Povolny, H (Povolny, Henry)
;
Xiang, XB (Xiang, Xianbi)
;
Deng, XM (Deng, Xunming)
;
Sun, K (Sun, Kai)
收藏
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浏览/下载:267/77
  |  
提交时间:2010/03/29
amorphous semiconductors
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1841-1846
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Du WH (Du Wenhui)
;
Yang XS (Yang Xiesen)
;
Povolny H (Povolny Henry)
;
Xiang XB (Xiang Xianbi)
;
Deng XM (Deng Xunming)
;
Sun K (Sun Kai)
收藏
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浏览/下载:179/0
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提交时间:2010/04/11
amorphous semiconductors
solar cells
microstructure
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
MICROCRYSTALLINE SILICON
DISCONTINUITIES
FILMS
Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 230-236
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:39/16
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提交时间:2010/03/17
two-dimensional electron gas
Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104
Luo XD
;
Xu ZY
;
Wang YQ
;
Wang WX
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
growth interruption
molecular beam epitaxy
quantum dots
GaSb
WELLS
Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells
会议论文
29th ieee photovoltaic specialists conference, new orleans, la, may 19-24, 2002
Zhang SB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Wang YQ
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Wang WJ
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:22/7
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提交时间:2010/10/29
SILICON
RAMAN
GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP
;
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
Auger electron spectroscopy
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
ion beam epitaxy
semiconducting gadolinium silicide
SEMICONDUCTING SILICIDES
MAGNETIC SEMICONDUCTORS
TRANSITION
INSULATOR
SILICON
FILMS
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
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