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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD 期刊论文 ferroelectrics, 2002, 卷号: 271, 期号: 0, 页码: 1707-1713 Wang H; Shang SX; Yao WF; Hou Y; Xu XH; Wang D; Wang M; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 Bi2Ti2O7  thin film  MOCVD  (111) orientation  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRYSTAL THIN-FILMS   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION