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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2021     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structured Computational Modeling of Human Visual System for No-reference Image Quality Assessment 期刊论文 International Journal of Automation and Computing, 2021, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 204-218 作者:  Wen-Han Zhu 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/04/22 Image quality assessment (IQA)  no-reference (NR)  structural computational modeling  human visual system  visual feature extraction   Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7 作者:  Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ];  Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ];  Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ];  Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ];  Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/03/15 SOI-LIGBT  Total-ionizing-dose  Radiation  Degradation   10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142 作者:  冯婕1,2;  李豫东1,2;  傅婧1,2,3;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：123/0  |  提交时间：2022/03/07 时空数据  可视分析  网吧记录  共现群体   Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability   模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98 作者:  相传峰1,2,3;  姚帅2,3,4;  于新2,3;  李小龙2,3;  陆妩1,2,3 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/09/07 模拟数字转换器  总剂量效应  单粒子翻转  协合效应   Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal 期刊论文 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, YD (Li, Yudong);  Liu, BK (Liu, Bingkai);  Wen, L (Wen, Lin);  Wei, Y (Wei, Ying);  Zhou, D (Zhou, Dong) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/10/14 Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)   Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429 作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3] 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/03/24 SiC Power MOSFETs  Switching Characteristics  Total Ionizing Dose (TID) Effect  Static Characteristic  Parasitic Capacitance   TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/09/22 65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)   8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量