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| 西南河流源区径流适应性利用不确定性量化方法研究 项目
2015-
作者: 程春田
  收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/09 |
| 具有非对称后退阱和背栅的SOI器件 专利
专利号: CN201520575137.X, 申请日期: 2015-12-23,
作者: 朱慧珑 ; 张严波; 钟健
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/09/19 |
| 半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN103368074B, 申请日期: 2015-12-23, 公开日期: 2015-12-23
作者: 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半导体器件以及半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN105186284A, 申请日期: 2015-12-23, 公开日期: 2015-12-23
作者: 宫坂文人
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 佳禾沟泥石流堆积物的粒度与强度关系分析 期刊论文
科学技术与工程, 2015, 卷号: 15, 期号: 35, 页码: 120-123+144
作者: 苟万春; 李泳; 王保亮; 刘道川
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/06/07
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| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者: 秦长亮; 叶甜春; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/10/21 |
| 一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105161976A, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210065168.1, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-09-18
作者: 叶甜春; 朱慧珑; 李春龙; 罗军; 钟汇才
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110165239.0, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2012-12-26
作者: 王桂磊; 李春龙; 赵超; 李俊峰
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种非易失性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201210026223.6, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-08-14
作者: 谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/09/12 |
