一种非易失性存储器及其制备方法

	一种非易失性存储器及其制备方法
	谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
	2015-12-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210026223.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法，该存储器包括：硅衬底；在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区；在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层；以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的隧穿氧化层、电荷存储层和电荷阻挡层构成，且该电荷存储层为金属纳米晶存储层。本发明提供的非易失性存储器及其制备方法，综合了高k材料和核壳型纳米晶的优点，该存储器具有高速低压，优良的保持特性和疲劳特性，可以有效提高器件的性能，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉等优点。
公开日期	2013-08-14
申请日期	2012-02-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15502]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,霍宗亮,朱晨昕,等. 一种非易失性存储器及其制备方法. CN201210026223.6. 2015-12-02.