具有非对称后退阱和背栅的SOI器件

	具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
	朱慧珑; 张严波; 钟健
	2015-12-23
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201520575137.X
国家	中国
文献子类	实用新型
英文摘要	提供了一种具有非对称后退阱和背栅的SOI器件。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。根据本公开的实施例，可以在SOI衬底中形成非对称RW。利用这种RW，可以在沟道区形成较薄的耗尽层，尽管SOI层可能较厚。
申请日期	2015-08-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15770]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,张严波,钟健. 具有非对称后退阱和背栅的SOI器件. CN201520575137.X. 2015-12-23.