一种半导体激光器及其制备方法 | |
杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强; 牛智川 | |
2015-12-16 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN105161976A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法,该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括:衬底,外延结构,其生长所述衬底上,由下至上包括:N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层;增益放大区,其位于所述半导体激光器的前部即出光部分,为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构;主振荡区,其位于所述增益放大区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构;布拉格反射区,其位于所述主振荡区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构;光限制槽,其对称分布于所述脊形波导两侧,与所述脊形波导倾斜设置。 |
公开日期 | 2015-12-16 |
申请日期 | 2015-08-31 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80050] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN105161976A. 2015-12-16. |
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