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内容类型
期刊论文 [13]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [15]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
微电子学与固体电子学 [1]
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共15条,第1-10条
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发表日期:2008
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Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)gaas/al(0.3)ga(0.7)as superlattice studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
Journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 6
作者:
Zhou, Z. Y.
;
Tang, C. G.
;
Chen, Y. H.
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of v/iii ratio on the structural and photoluminescence properties of in0.52alas/in0.53gaas metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
作者:
Gao Hong-Ling
;
Zeng Yi-Peng
;
Wang Bao-Qiang
;
Zhu Zhan-Ping
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
High electron mobility transistors
Vertical cavity surface emitting laser diode having a high reflective distributed Bragg reflector
专利
专利号: US7330495, 申请日期: 2008-02-12, 公开日期: 2008-02-12
作者:
TAKAHASHI, MITSUO
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
Structures and phase transition of GaAs under pressure
期刊论文
Chinese Physics Letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2169-2172
C. Hong-Ling
;
C. Xiang-Rong
;
J. Guang-Fu
;
W. Dong-Qing
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/13
iii-v
electronic-structure
gallium-arsenide
semiconductors
stability
alas
iv
si
High photoexcited carrier multiplication by charged InAs dots in AlAs/GaAs/AlAs resonant tunneling diode
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 2
Wang, WP
;
Hou, Y
;
Xiong, DY
;
Li, N
;
Lu, W
;
Wang, WX
;
Chen, H
;
Zhou, JM
;
Wu, E
;
Zeng, HP
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/09/17
Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 7
Du, GX
;
Han, XF
;
Deng, JJ
;
Wang, WZ
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/23
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
GaAs=AlAs量子结构中交换作用诱导的自旋劈裂和自旋退相干过程
学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
张飞
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浏览/下载:57/28
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提交时间:2009/04/13
Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 013106
Zhou, ZY
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
FINE-STRUCTURE
QUANTUM-WELLS
GAAS/ALAS SUPERLATTICES
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
HOLE
Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 07d105
Du, GX
;
Han, XF
;
Deng, JJ
;
Wang, WZ
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/03/08
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
(GA
MN)AS
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