|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
  收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2022/02/18
|
| 碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210142488.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1孙瑞贇 2杨建荣 3魏彦锋 4张传杰 5孙权志 6陈倩男 7张娟 8陈晓静
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2015/01/06 |
| 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110355312.0, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1仇光寅2 魏彦锋3陈倩男4孙权志5 孙瑞赟
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2015/01/06 |
| 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器 专利
专利号: 201110191846.4, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者: 1 黄志明 2 陆金星 3 黄敬国 4 周 炜 5 沈学民 6 魏彦锋 7 侯 云 8 高艳卿 9 褚君浩
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2013/12/20 |
| 碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法 专利
专利号: 200810204569.4, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2013/01/14 |
| 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 专利
专利号: 201010565049.3, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1 张传杰 2 陈晓静 3 魏彦锋 4 杨建荣
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2013/01/14 |
| 耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置 专利
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法 专利
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 非接触式晶片厚度测量装置及方法 专利
专利号: 200910199928.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者: 1 陈晓静 2 魏彦锋 3 张传杰 4 徐庆庆 5 孙瑞赟
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2011/07/07 |
| 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 专利
专利号: 200810033251.4, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2011/07/06 |
