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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297 作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2022/02/18 磷化铟高电子迁移率晶体管  二维电子气  电子束辐照  辐射加固   磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 第56卷, 页码: 4117-4121 作者:  李潇;  张海英;  尹军舰;  刘亮;  徐静波 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/03/28 磷化铟  高电子迁移率晶体管  密度梯度模型  击穿   磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1970-1973 作者:  刘亮;  尹军舰;  李潇;  张海英;  李海鸥 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  高电子迁移率晶体管  欧姆接触  合金  传输线模型   一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 第55卷, 页码: 3617-3621 作者:  李潇;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  李海鸥 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/03/28 高电子迁移率晶体管  复合沟道  物理模型  磷化铟   InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究 期刊论文 半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 4，15-18 作者:  李潇;  张海英;  李海鸥;  刘亮;  尹军舰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  赝配超晶格高电子辽移率晶体管  低温合金  欧姆接触