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季节冻土区路基“时变覆盖效应”试验与数值重现 期刊论文
公路, 2022, 卷号: 67, 期号: 08, 页码: 14-23
作者:  钟黎;  张瑞玲;  张明礼;  冯德刚;  严艳锋
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/08/09
寒区工程锅盖效应病害调查与防治研究进展 期刊论文
科学技术与工程, 2021, 卷号: 21, 期号: 19, 页码: 7863-7873
作者:  张明礼;  张瑞玲;  冯德刚;  严艳锋;  周志雄
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/12/16
Adjustment of Al atom migration ability and its effect on the surface morphology of AlN grown on sapphire by metal–organic chemical vapor deposition 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Zhang, Yuheng;   Yang, Jing;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2022/03/28
Stepped upper waveguide layer for higher hole injection efficiency in GaN-based laser diodes 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 21, 页码: 33992-34001
作者:  Hou, Yufei;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Liang, Feng;   Liu, Zongshun;   Yang, Jing
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/03/28
The Atomic Rearrangement of GaN-Based Multiple Quantum Wells in H-2/NH3 Mixed Gas for Improving Structural and Optical Properties 期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 161
作者:  Ben, Yuhao;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2022/03/24
Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment 期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057
作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping;   Yang, Jing
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/03/23
Mechanism of defects and electrode structure on the performance of AlN-based metal semiconductor metal detectors 期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 125902
作者:  Li, Guanghui;   Wang, Pengbo;   He, Xinran;   Meng, Yulong;   Liang, Feng;   Zhou, Mei;   Zhao, Degang
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2022/03/23
Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851
作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2022/03/28
The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 期号: 135, 页码: 105903
作者:  Peng, Liyuan;   Liu, Shuangtao;   Yang, Jing;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/03/24
Influences of gallium and nitrogen partial pressure on step-bunching and step-meandering morphology of InGaN quantum barrier layer 期刊论文
MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 29, 页码: 102923
作者:  Peng, Liyuan;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Wang, Wenjie;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping;   Yang, Jing
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