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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2020 [2]
2019 [2]
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Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2020, 卷号: 124, 期号: 3, 页码: 037701
作者:
Zhi-Ming Yu
;
Shan Guan
;
Xian-Lei Sheng
;
Weibo Gao
;
Shengyuan A. Yang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/12/16
Valley-dependent properties of monolayer MoSi2N4, WSi2N4, and MoSi2As4
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 102, 页码: 235435
作者:
Li, S (Li, Si)
;
Wu, WK (Wu, Weikang)
;
Feng, XL (Feng, Xiaolong)
;
Guan, S (Guan, Shan)
;
Feng, WX (Feng, Wanxiang)
;
Yao, YG (Yao, Yugui)
;
Yang, SA (Yang, Shengyuan A.)
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  |  
浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/05/21
Two-dimensional antiferromagnetic Dirac fermions in monolayer TaCoTe 2
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 100, 页码: 205102
作者:
Si Li
;
Ying Liu
;
Zhi-Ming Yu
;
Yalong Jiao
;
Shan Guan
;
Xian-Lei Sheng
;
Yugui Yao
;
Shengyuan A. Yang
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2020/07/30
Two-dimensional nodal-loop half-metal in monolayer MnN
期刊论文
PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 卷号: 3, 期号: 8, 页码: 084201
作者:
Shan-Shan Wang
;
Zhi-Ming Yu
;
Ying Liu
;
Yalong Jiao
;
Shan Guan
;
Xian-Lei Sheng
;
Shengyuan A. Yang
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/07/30
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