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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2002 [2]
2000 [4]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Microscopic reflection difference spectroscopy for strain field of GaN induced by Berkovich nanoindentation
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 5, 页码: 053106
Gao, HS
;
Liu, Y
;
Zhang, HY
;
Wu, SJ
;
Jiang, CY
;
Yu, JL
;
Zhu, LP
;
Li, Y
;
Huang, W
;
Chen, YH
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/03/19
Detecting and tuning anisotropic mode splitting induced by birefringence in an InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 4, 页码: 43109
Yu, JL
;
Chen, YH
;
Jiang, CY
;
Ye, XL
;
Zhang, HY
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots (vol 234, pg 354, 2001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 499-499
作者:
Jiang DS
;
Xu B
;
Wang ZG
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浏览/下载:74/4
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提交时间:2010/08/12
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/7
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:
Xu B
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs overgrowth layer
photoluminescence
molecular beam epitaxy
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
Room temperature 1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
InAs/InP
INP
ISLANDS
GAAS
MATRIX
Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs/InGaAlAs
adjusting layer
molecular beam epitaxy
high index
GAAS
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