QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42 Fang, ZL; Su, FH; Ma, BS; Ding, K; Han, HX; Li, GH; Sou, IK; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：101/22  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER   Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203 Fang ZL; Li GH; Liu NZ; Zhu ZM; Han HX; Ding K; Ge WK; Sou IK 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 ZNS-TE  ABSORPTION-EDGE  MIXED-CRYSTALS  ZINC-SULFIDE  THIN-FILMS  TRANSITION  EXCITONS  CENTERS  STRAINS  BAND   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172 Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Li GH; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  OPTICAL-ABSORPTION  BOUND EXCITONS  ZINC-SULFIDE  LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  ALLOYS   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2001, 卷号: 223, 期号: 1, 页码: 157-162 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文 9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB