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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Li DL(李多力);  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/13 Radiation Effects on Al2O3 Thin Films 会议论文 作者:  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li DL(李多力);  Gao JT(高见头) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/13 Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文 作者:  Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 Total dose effect of Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation 期刊论文 Semiconductor Science and Technology, 2018 作者:  Gao JT(高见头);  Li DL(李多力);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/03/27 Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文 作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/09 An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Zhao X(赵星) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27 Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM 会议论文 作者:  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  Li B(李博);  Zhao FZ(赵发展) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09 System Anslysis and PHM Methods for Power Devices Based on Physics-of-Failure 会议论文 作者:  Gao B(高博);  Wang LX(王立新);  Zhang YL(张宇隆);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20 An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Huang Y(黄杨) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20 Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET 期刊论文 Chinese Physics B, 2017 作者:  Yan WW(闫薇薇);  Gao LC(高林春);  Li XJ(李晓静);  Zhao FZ(赵发展);  Ceng CB(曾传滨) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/16