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	Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
	Kuang Y(匡勇); Bu JH(卜建辉); Li B(李博); Gao LC(高林春); Liang CP(梁春平); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
	2018-10-15
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19103]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Kuang Y,Bu JH,Li B,et al. Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors[C]. 见:.

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