QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26 作者:  唐兆云;  闫江;  唐波;  贾宬;  王大海 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/03/22 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/05/09 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜特性 期刊论文 半导体技术, 2014 作者:  闫江;  张青竹;  高建峰;  许静;  赵利川 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/04/24 SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond 期刊论文 The Electrochemical Society, 2014 作者:  Xu Q(徐强);  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/04/24 Ni Silicide Processes For 22 nm CMOS Technology and Beyond 期刊论文 ECS Transactions, 2014 作者:  Xu J(许静);  Zhang QZ(张青竹);  Yan J(闫江);  Gao JF(高建峰);  Zhao LC(赵利川) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/06 Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs 期刊论文 IEEE Electron device letters, 2014 作者:  Yan J(闫江);  Tang ZY(唐兆云);  Tang B(唐波);  Zhao LC(赵利川);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/04/24