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氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 62-67
作者:  朱建军;  张书明;  赵德刚
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
作者:  赵德刚;  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23
立方相GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38
作者:  赵德刚
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑,物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
作者:  朱建军;  赵德刚;  王玉田
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN基MSM结构紫外光探测器 期刊论文
中国科学. G辑, 物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 34-38
作者:  朱建军;  赵德刚;  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 881-885
作者:  赵德刚
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
作者:  朱建军;  赵德刚;  王玉田
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
作者:  王玉田;  赵德刚;  张书明
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/11/23
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2014/12/25
高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2014/11/24


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