GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量

	GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量
	朱建军; 赵德刚; 王玉田
刊名	中国科学. G辑，物理
	2003
卷号	33 期号:2 页码:122-125
中文摘要	提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法．该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度，此比值与GaN样品厚度在t＜2μm为线性关系．该方法消除了因GaN吸收造成的影响，比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高，更方便可靠．
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰出青年基金（批准号：5 1161953）,NSFC-RGC联合基金（批准号：N_HUK 28/ ）资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17737]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱建军,赵德刚,王玉田. GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量[J]. 中国科学. G辑，物理,2003,33(2):122-125.
APA	朱建军,赵德刚,&王玉田.(2003).GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量.中国科学. G辑，物理,33(2),122-125.
MLA	朱建军,et al."GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量".中国科学. G辑，物理 33.2(2003):122-125.