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	高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
	何晓光 ; 赵德刚 ; 江德生 ; 刘宗顺 ; 陈平 ; 杨静 ; 乐伶聪 ; 李晓静 ; 杨辉
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
公开日期	2014-06-25
申请日期	2014-03-07
专利申请号	CN201410089597.1
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25764]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	何晓光,赵德刚,江德生,等. 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法.

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