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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 专利 专利号: CN200710178316.X, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2009-06-03 作者:  程伟;  于进勇;  刘新宇;  金智;  夏洋 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4，414-417 作者:  程伟;  金智;  刘新宇;  于进勇;  徐安怀 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Inp  异质结晶体管  聚酰亚胺 平坦化   基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT 期刊论文 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,154_158 作者:  王润梅;  于进勇;  苏树兵;  刘新宇;  齐鸣 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 Inp   含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4,943_946 作者:  程伟;  金智;  于进勇;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 Inp／ingaashbt   162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736 作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  异质结双极型晶体管  自对准   MBE生长的InP DHBT的性能 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 792-795 作者:  于进勇;  刘新宇;  王润梅;  刘训春;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 Mbe  Be掺杂ingaas基区  磷化铟  双异质结双极晶体管   采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 434-437 作者:  齐鸣;  王润梅;  于进勇;  刘新宇;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准发射极   一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法 专利 专利号: CN200710117615.2, 公开日期: 2008-12-24 作者:  程伟;  夏洋;  于进勇;  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法 专利 专利号: CN200710117614.8, 公开日期: 2008-12-24 作者:  程伟;  夏洋;  于进勇;  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种利用光敏胶层制作空气桥的方法 专利 专利号: CN200710064859.9, 公开日期: 2008-10-01 作者:  刘新宇;  夏洋;  于进勇;  金智;  程伟 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26