采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能

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	采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能
	齐鸣; 王润梅; 于进勇; 刘新宇; 苏树兵; 刘训春; 徐安怀
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:3 页码:434-437
关键词	自对准发射极
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管．采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术，成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件．该器件的共射直流增益达到170，残余电压约为0．2V，膝点电压仅为0．5V，而击穿电压超过了2V．器件的截止频率达到85GHz，最大振荡频率为72GHz，这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1426]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	齐鸣,王润梅,于进勇,等. 采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能[J]. 半导体学报,2006,27(3):434-437.
APA	齐鸣.,王润梅.,于进勇.,刘新宇.,苏树兵.,...&徐安怀.(2006).采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能.半导体学报,27(3),434-437.
MLA	齐鸣,et al."采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能".半导体学报 27.3(2006):434-437.