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科研机构
微电子研究所 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2017 [3]
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共3条,第1-3条
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发表日期:2017
内容类型:专利
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对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者:
王国明
;
龙世兵
;
张美芸
;
李阳
;
许晓欣
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/04/27
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者:
龙世兵
;
王国明
;
张美芸
;
李阳
;
王明
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2018/04/27
一种降低阻变存储器电铸电压的方法
专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者:
吕杭炳
;
刘琦
;
刘明
;
刘红涛
;
龙世兵
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/04/27
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