一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 | |
龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明; 许晓欣; 刘若愚; 李丛飞; 刘红涛; 孙鹏霄 | |
2017-02-01 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201310491719.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时,捕获脉冲图形;示波器具有第一通道和第二通道,第一通道具有第一内阻R1,第二通道具有第二内阻R2,待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联,脉冲源与待测RRAM器件连接,示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明,解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题,使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压,而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。 |
公开日期 | 2014-01-22 |
申请日期 | 2013-10-18 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17930] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 龙世兵,王国明,张美芸,等. 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路. CN201310491719.5. 2017-02-01. |
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