一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明; 许晓欣; 刘若愚; 李丛飞; 刘红涛; 孙鹏霄
2017-02-01
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN201310491719.5
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时,捕获脉冲图形;示波器具有第一通道和第二通道,第一通道具有第一内阻R1,第二通道具有第二内阻R2,待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联,脉冲源与待测RRAM器件连接,示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明,解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题,使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压,而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。

公开日期2014-01-22
申请日期2013-10-18
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/17930]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
龙世兵,王国明,张美芸,等. 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路. CN201310491719.5. 2017-02-01.
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