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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1981     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系 期刊论文 半导体技术, 1981, 期号: 6, 页码: 6-13 作者:  李思渊;  李寿嵩;  张秀文;  杨映虎;  裘会芳 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 成品率:5556  管芯:4538  界面质量:3636  SiO_2/Si:3582  界面电荷:2519  抛光:2233  界面态:2176  界面效应:1636  铬离子:1511  固定氧:1198   金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究 期刊论文 半导体技术, 1981, 期号: 2, 页码: 1-6 作者:  李思渊;  李寿嵩;  张秀文;  杨映虎;  裘惠芳 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/04/27 负电荷效应:6198  Si界面:4546  界面电荷:2953  退火温度:2816  界面态:2473  层电荷:2357  固定氧:1966  金片:1800  界面缺陷:1699  实验研究:1603