金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究

	金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究
	李思渊; 李寿嵩; 张秀文; 杨映虎; 裘惠芳; 田仁杰; 马莉莉; 郑秩; 孟益民; 柳南辉
刊名	半导体技术
	1981-05-01
期号	2 页码:1-6
关键词	负电荷效应:6198 Si界面:4546 界面电荷:2953 退火温度:2816 界面态:2473 层电荷:2357 固定氧:1966 金片:1800 界面缺陷:1699 实验研究:1603
其他题名	金在Si_2O/Si界面处负电荷效应的实验研究
中文摘要	实验表明,SiO_2/Si体系扩金以后,其MOS结构的C-V曲线,明显的向正压方向平行移动,显示了扩金引入的负电荷效应。变化的一般情况如图1所示。为了观察该效应随热处理条件的变化,进而取得对其作用机制的认识,我们在不同气氛(氮、氢、氯)不同温度和不同时间下,对金界面电荷的变化进行了实验考察。一、实验 MOS电容器样品是由电阻率为9.1～13Ω·cm的直拉P型Si单晶制成的。位错密度不超过300/cm~2。垂直于且向偏3°切片。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101519]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,李寿嵩,张秀文,等. 金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究[J]. 半导体技术,1981(2):1-6.
APA	李思渊.,李寿嵩.,张秀文.,杨映虎.,裘惠芳.,...&柳南辉.(1981).金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究.半导体技术(2),1-6.
MLA	李思渊,et al."金在Si_2O_Si界面处负电荷效应的实验研究".半导体技术 .2(1981):1-6.