SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系

	SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系
	李思渊; 李寿嵩; 张秀文; 杨映虎; 裘会芳; 盂益民; 柳南辉; 郑秩; 马莉莉; 张同军
刊名	半导体技术
	1981-12-27
期号	6 页码:6-13
关键词	成品率:5556 管芯:4538 界面质量:3636 SiO_2/Si:3582 界面电荷:2519 抛光:2233 界面态:2176 界面效应:1636 铬离子:1511 固定氧:1198
其他题名	SiO_2/Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系
中文摘要	SiO_2/Si界面的一个重要特征是氧空位(或过剩硅离子)和离化施主型界面态这两类主要结构(化学)缺陷所产生的界面正电荷。鉴于金在界面处引入的负电荷对这些固有正电荷的有效补偿,就使得引入金以控制界面净电荷密度成为一个有价值的方法。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101520]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,李寿嵩,张秀文,等. SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系[J]. 半导体技术,1981(6):6-13.
APA	李思渊.,李寿嵩.,张秀文.,杨映虎.,裘会芳.,...&田仁杰.(1981).SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系.半导体技术(6),6-13.
MLA	李思渊,et al."SiO_2_Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系".半导体技术 .6(1981):6-13.