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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736 作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  异质结双极型晶体管  自对准   MBE生长的InP DHBT的性能 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 792-795 作者:  于进勇;  刘新宇;  王润梅;  刘训春;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 Mbe  Be掺杂ingaas基区  磷化铟  双异质结双极晶体管   采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 434-437 作者:  齐鸣;  王润梅;  于进勇;  刘新宇;  苏树兵 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准发射极   采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文) 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 03 苏树兵; 刘训春; 刘新宇; 于进勇; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 二氧化铪  离子束增强沉积  高k电介质   MBE生长的InP DHBT的性能(英文) 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 05 苏树兵; 刘新宇; 徐安怀; 于进勇; 齐鸣; 刘训春; 王润梅 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 正交频分复用  载波偏差估计算法  载波跟踪环   162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文) 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 10 于进勇; 严北平; 苏树兵; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐 鸣; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 半导体技术  化学镀Ni-P  纯锡凸点  高温回流  Ni_3Sn_4金属间化合物   高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT 会议论文 2005'全国微波毫米波会议, 2006 苏树兵; 于进勇; 刘新宇; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18 MBE 磷化铟 单异质结双极晶体管 铍