MBE生长的InP DHBT的性能(英文)

	MBE生长的InP DHBT的性能(英文)
	苏树兵 ; 刘新宇 ; 徐安怀 ; 于进勇 ; 齐鸣 ; 刘训春 ; 王润梅
刊名	半导体学报
	2006
期号	05
关键词	正交频分复用载波偏差估计算法载波跟踪环
ISSN号	0253-4177
中文摘要	报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0·16V,膝点电压仅为0·6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz ,最大震荡频率为40GHz .这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50993]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	苏树兵,刘新宇,徐安怀,等. MBE生长的InP DHBT的性能(英文)[J]. 半导体学报,2006(05).
APA	苏树兵.,刘新宇.,徐安怀.,于进勇.,齐鸣.,...&王润梅.(2006).MBE生长的InP DHBT的性能(英文).半导体学报(05).
MLA	苏树兵,et al."MBE生长的InP DHBT的性能(英文)".半导体学报 .05(2006).