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レーザ装置 专利
专利号: JP6536842B2, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-07-03
作者:  坂本 隼規;  福士 一郎;  門谷 章之;  渡辺 一馬;  石垣 直也
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Bond and release layer transfer process 专利
专利号: US10164144, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2018-12-25
作者:  HENLEY, FRANCOIS J.;  KANG, SIEN;  ZHONG, MINGYU;  LI, MINGHANG
收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2019/12/24
Preparing high-throughput graphene oxide/polyimide matrix material comprises e.g. introducing graphene oxide into polyimide matrix which can undergo thermal rearrangement by in-situ method, and then processing composite film. 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-01-09
作者:  LU Y XIAO G LI L WANG T HU Z HOU M
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LED metal pad configuration for optimized thermal resistance, solder reliability, and smt processing yields 专利
专利号: WO2017095712A1, 申请日期: 2017-06-08, 公开日期: 2017-06-08
作者:  MEHNERT, ALEX
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Methods for photo-excitation of precursors in epitaxial processes using a rotary scanning unit 专利
专利号: US9499909, 申请日期: 2016-11-22, 公开日期: 2016-11-22
作者:  MOFFATT, STEPHEN
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch 专利
专利号: US9123527, 申请日期: 2015-09-01, 公开日期: 2015-09-01
作者:  MOFFATT, STEPHEN
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Vertical-structure semiconductor light emitting element and a production method therefor 专利
专利号: US8932890, 申请日期: 2015-01-13, 公开日期: 2015-01-13
作者:  SEONG, TAE YEON
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices 专利
专利号: US8785226, 申请日期: 2014-07-22, 公开日期: 2014-07-22
作者:  LEE, SEUNG CHANG;  BRUECK, STEVEN R. J.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
带有存储功能的MOS器件及其形成方法 专利
专利号: US8685851, 申请日期: 2014-04-01, 公开日期: 2012-06-14
作者:  王文武;  赵超
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/05/27
Method of manufacturing thin-film bonded substrate used for semiconductor device 专利
专利号: EP2669961A2, 申请日期: 2013-12-04, 公开日期: 2013-12-04
作者:  KIM, DONGHYUN;  KIM, DONG-WOON;  KIM, MIKYOUNG;  KIM, MINJU;  KIM, A-RA
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