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| Real time epitaxial growth of vertical cavity surface-emitting laser using a reflectometry 专利
专利号: US6410347, 申请日期: 2002-06-25, 公开日期: 2002-06-25
作者: BAEK, JONG HYEOB; LEE, BUN
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| Free standing quantum well structure 专利
专利号: EP0637110A1, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者: KNOX, WAYNE HARVEY; SHUNK, STEPHEN CASON; WILLIAMS, MICHAEL D.; ZUCKER, JANE ELISA
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| 分布帰還型半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1994066509B2, 申请日期: 1994-08-24, 公开日期: 1994-08-24
作者: 茅根 直樹; 辻 伸二; 藤崎 芳久; 柏田 泰利; 平尾 元尚
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1992119679A, 申请日期: 1992-04-21, 公开日期: 1992-04-21
作者: IHANA TSUNEAKI; TERASAKI RYUICHI; MURATA HIROSHI
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| Production of inclined type quantum well structure 专利
专利号: JP1989142710A, 申请日期: 1989-06-05, 公开日期: 1989-06-05
作者: NISHI KENICHI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988147388A, 申请日期: 1988-06-20, 公开日期: 1988-06-20
作者: KITAMURA MITSUHIRO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1987029189A, 申请日期: 1987-02-07, 公开日期: 1987-02-07
作者: SUGIMOTO MITSUNORI
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| Molecular-beam epitaxial growth device 专利
专利号: JP1986278130A, 申请日期: 1986-12-09, 公开日期: 1986-12-09
作者: MIURA SHUICHI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1986184891A, 申请日期: 1986-08-18, 公开日期: 1986-08-18
作者: IWATA HIROSHI
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| Distributed feedback type semiconductor laser 专利
专利号: JP1986134096A, 申请日期: 1986-06-21, 公开日期: 1986-06-21
作者: OSHIMA MASAAKI
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