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Ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same 专利
专利号: US20190148589A1, 申请日期: 2019-05-16, 公开日期: 2019-05-16
作者:  YAMADA, KIHO;  NAGASAWA, YOSUKE;  HIRANO, AKIRA;  IPPOMMATSU, MASAMICHI;  AOSAKI, KO
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Method of increasing surface hardness and case depth of a steel substrate by surface texturisation and high power diode laser hardening 专利
专利号: IN256661B, 申请日期: 2013-07-12, 公开日期: 2013-07-19
作者:  VIVEK ARYA;  BHARAT KUMAR PANT;  BALBIR SINGH MANN
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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Method of fabricating nitride-based semiconductor laser diode 专利
专利号: US7736925, 申请日期: 2010-06-15, 公开日期: 2010-06-15
作者:  SAKONG, TAN;  SUNG, YOUN-JOON;  PAEK, HO-SUN
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Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:  YANG, TSUNG-HSI;  LEE, CHUNG-LIANG;  YANG, CHU-SHOU;  LUO, GUANGLI;  CHOU, WU-CHING
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Substrate and method of manufacturing the same 专利
专利号: US20040016570A1, 申请日期: 2004-01-29, 公开日期: 2004-01-29
作者:  YAMAMOTO, REO;  YAMAMOTO, YOSHIHIDE
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Substrate and method of manufacturing the same 专利
专利号: US20040016570A1, 申请日期: 2004-01-29, 公开日期: 2004-01-29
作者:  YAMAMOTO, REO;  YAMAMOTO, YOSHIHIDE
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半導体レ-ザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP1994007621B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:  ▲吉▼川 昭男;  杉野 隆
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Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device 专利
专利号: EP0536829A1, 申请日期: 1993-04-14, 公开日期: 1993-04-14
作者:  VENHUIZEN, ANTONIUS HENRICUS JOHANNES
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Etching method 专利
专利号: JP1992320336A, 申请日期: 1992-11-11, 公开日期: 1992-11-11
作者:  OOKUBO TOMOYUKI;  SAWATO HIRONOBU
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