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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Liang, LY; Ye, XL; Jin, P; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/09 INDUCED REFRACTIVE-INDEX  GROWTH  LASERS  GAAS   Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  QUANTUM-DOTS  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  NANOSTRUCTURES  SUPERLATTICES  GROWTH  SURFACE  GAAS(100)   Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dot  molecular beam epitaxy  kinetic effects  Monte Carlo simulation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERIODIC STRAIN  NUCLEATION   Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  structure  TEM  X-ray  ISLANDS  GROWTH  GAAS  MULTILAYERS  SURFACES  X-RAY-DIFFRACTION   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES