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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [2]
2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang YS (Wang Y. S.)
;
Zhang H (Zhang H.)
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浏览/下载:190/22
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提交时间:2010/09/07
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
Effect of a step quantum well structure and an electric-field on the Rashba spin splitting
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 11-14
作者:
Hao Guodong
;
Chen Yonghai
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
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浏览/下载:150/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
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浏览/下载:487/1
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提交时间:2010/08/12
characterization
crystal structure
DC sputtering
alloys
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
ULTRAVIOLET-LASER
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
EMISSION
ALLOY
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Yang H
;
Chen H
;
Zhou JM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
in-plane strain
lattice parameters
triple-axis diffraction
c-GaN
GROWTH
FILMS
Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Yang H
;
Liang JW
;
Han JY
收藏
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浏览/下载:93/4
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
X-ray double crystal diffraction
structural characteristics
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EPITAXIAL-GROWTH
HEXAGONAL GAN
LASER-DIODES
THIN-FILMS
MBE
INVESTIGATION OF GAAS/SI MATERIAL BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 8, 页码: 4172-4175
LI CR
;
MAI ZH
;
CUI SF
;
ZHOU JM
;
WANG YT
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
SOLAR-CELL APPLICATIONS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SI
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
THE DEPENDENCE OF THE INVERSION LAYER THICKNESS ON THE FILM THICKNESS IN THIN-FILM SOI STRUCTURES
期刊论文
chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 716-719
XIA YW
;
WANG SW
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
MOSFETS
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