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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文 9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001 Kang JY; Shen YW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 defects  GaN  photoluminescence  electronic structures  YELLOW LUMINESCENCE  EPITAXIAL-FILMS  MG   Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 303-307 Kang JY; Shen YW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：89/4  |  提交时间：2010/08/12 defects  GaN  photoluminescence  electronic structures  YELLOW LUMINESCENCE  EPITAXIAL-FILMS  MG   Electronic structure of microporous titanosilicate ETS-10 期刊论文 ferroelectrics, 1997, 卷号: 194, 期号: 0, 页码: 219-226 Xu YN; Ching WY; Gu ZQ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 electronic structure  titanosilicates   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY   INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1994, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2437-2439 YU T; LAIHO R; HEIKKILA L 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  WAFERS