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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.)
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11
Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64
Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P
收藏  |  浏览/下载：212/52  |  提交时间：2010/03/09
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12

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