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Epitaxial regrowth in a distributed feedback laser 专利
专利号: US8034648, 申请日期: 2011-10-11, 公开日期: 2011-10-11
作者:  HA, YUK LUNG;  YOUNG, DAVID BRUCE;  VERMA, ASHISH;  DIMITROV, ROMAN
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Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices 专利
专利号: US7675068, 申请日期: 2010-03-09, 公开日期: 2010-03-09
作者:  MCCLURE, DAVIS ANDREW;  SUVOROV, ALEXANDER;  EDMOND, JOHN ADAM;  SLATER, JR., DAVID BEARDSLEY
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A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1992212488A, 申请日期: 1992-08-04, 公开日期: 1992-08-04
作者:  MATSUBARA KUNIO
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Manufacture of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1984117288A, 申请日期: 1984-07-06, 公开日期: 1984-07-06
作者:  HIRANO RIYOUICHI;  OOMURA ETSUJI;  HIGUCHI HIDEYO;  SAKAKIBARA YASUSHI;  NAMISAKI HIROBUMI
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- 专利
专利号: BE743335A, 申请日期: 1970-05-28, 公开日期: 1970-05-28
作者:  -
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