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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2018/06/20
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘炜
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/01
Surface plasmon coupling dynamics in InGaN/GaN quantum-well structures and radiative efficiency improvement 期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6392
Fadil, A; Iida, D; Chen, YT; Ma, J; Ou, YY; Petersen, PM; Ou, HY
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/02
Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 16, 页码: art.no.161110
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏  |  浏览/下载：142/33  |  提交时间：2010/03/08
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302
Wang H (Wang Hui); Zhu JH (Zhu Ji-Hong); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：157/39  |  提交时间：2010/03/08
The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.); Wang, LJ (Wang, L. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Wang, H (Wang, H.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Yang, H (Yang, H.)
收藏  |  浏览/下载：143/26  |  提交时间：2010/03/08
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY
收藏  |  浏览/下载：87/2  |  提交时间：2010/03/08
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08
Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires 期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：209/43  |  提交时间：2010/03/08

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