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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004 Sun L; Zhou WZ; Yu GL; Shang LY; Gao KH; Zhou YM; Lin T; Cui LJ; Zeng YP; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELLS  GRADED HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION  SCATTERING  SYSTEMS  TIME  HETEROJUNCTIONS   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Quantum measurement of single electron state by a quantum point contact 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3259-3264 Hu XN (Hu Xue-Ning); Li XQ (Li Xin-Qi) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum measurement  qubit  detailed balance  delocalization  DOT  DIFFUSION  DETECTOR   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN   Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 会议论文 10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GAAS  GROWTH   Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 213-218 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS  GROWTH