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半导体研究所 [10]

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半导体材料 [10]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者: Pan X 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PHASE EPITAXY ALN INTERLAYERS FILMS STRESS LAYERS DISLOCATIONS REDUCTION DENSITY DIODES
	Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者: Wei HY 收藏 \| 浏览/下载：236/104 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds carrier density carrier mobility dislocation density dislocation scattering gallium compounds III-V semiconductors semiconductor heterojunctions wide band gap semiconductors
	Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者: Yang JK; Wei TB; Duan RF 收藏 \| 浏览/下载：73/3 \| 提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY DISLOCATIONS SUBSTRATE LAYER
	Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏 \| 浏览/下载：43/0 \| 提交时间：2010/04/11 4H-SiC homoepitaxial layers surface morphological defect optical microscopy SILICON-CARBIDE DISLOCATIONS FILMS
	Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P 收藏 \| 浏览/下载：212/52 \| 提交时间：2010/03/09 line defects
	Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2010/08/12 amorphous layer dislocation transmission electron microscopy metalorganic chemical vapor deposition GaN MOLECULAR-BEAM EPITAXY HIGH-QUALITY GAN HETEROEPITAXIAL GROWTH ELECTRON-DIFFRACTION DEFECT STRUCTURE HETEROSTRUCTURE DISLOCATIONS MICROSCOPY (111)SI LAYER
	Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：61/0 \| 提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction etching metalorganic vapor-phase epitaxy nitrides semiconducting III-V materials LIGHT-EMITTING-DIODES VAPOR-PHASE EPITAXY FILMS DISLOCATIONS DENSITY GROWTH LAYERS
	Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY COHERENT ISLANDS GAAS GROWTH DOTS DISLOCATIONS TEMPERATURE MECHANISMS SI(001) INGAAS
	ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS GERMANIUM DISSOCIATION ENERGY
	ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513 LI JM 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/11/15 CZOCHRALSKI-GROWN SILICON MICRODEFECTS DISLOCATIONS BEHAVIOR WAFERS

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